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芯片|臺積電有何底氣?2025年將投產(chǎn)2nm工藝芯片,并依舊保持技術(shù)領(lǐng)先

芯片|臺積電有何底氣?2025年將投產(chǎn)2nm工藝芯片,并依舊保持技術(shù)領(lǐng)先

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芯片|臺積電有何底氣?2025年將投產(chǎn)2nm工藝芯片,并依舊保持技術(shù)領(lǐng)先

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芯片|臺積電有何底氣?2025年將投產(chǎn)2nm工藝芯片,并依舊保持技術(shù)領(lǐng)先

近日 , 臺積電CEO魏哲家 , 在第一季度電話會議上表示:臺積電2nm工藝正在研發(fā)中 , 有信心依舊保持該工藝技術(shù)的領(lǐng)先地位 , 并于2025年正式投產(chǎn) 。
這樣的消息發(fā)布之后 , 引起了不少業(yè)內(nèi)外人士的關(guān)注和議論 , 臺積電能這么說到底有何底氣?本文就從臺積電自身的實力 , 以及他一直走在技術(shù)的前沿的經(jīng)歷 , 和其技術(shù)領(lǐng)先世界的原因來做分析 。

臺積電的實力首先 , 臺積電的主要的業(yè)務(wù)就是生產(chǎn)芯片 , 它是全球第一大晶圓制造代工廠 。 臺積電于1987年成立 , 經(jīng)過數(shù)十年的芯片制程技術(shù)開發(fā)積累 , 在芯片制造方面更具有專業(yè)性和先進性 , 在半導(dǎo)體行業(yè)打下了超過5成以上的市場份額 。
其次 , 臺積電具有雄厚的實力 , 市值在亞洲排名第一 。 據(jù)國外權(quán)威機構(gòu)的數(shù)據(jù)統(tǒng)計 , 截至2021年底 , 臺積電的市值已經(jīng)達到6343億美元(約4萬億人民幣) 。 這個數(shù)值在全球排名中排在第十位 , 超過了騰訊的3.6萬億 , 以及遠超了阿里巴巴的2.2萬億 , 更是茅臺的1.5倍 , 一舉成為亞洲市值排名第一的公司 。
另外 , 臺積電作為技術(shù)最先進的蝕刻芯片公司 , 最大的特色是資本支出與收入之比接近1:1 , 也就是說 , 他在推動芯片制造的同時 , 還保持了老節(jié)點的穩(wěn)定和有利可圖的生產(chǎn) 。
可以說 , 臺積電有著不容小覷的實力 , 無論在經(jīng)濟上還是技術(shù)積累方面 , 都是三星等暫時無法超越的 。
【芯片|臺積電有何底氣?2025年將投產(chǎn)2nm工藝芯片,并依舊保持技術(shù)領(lǐng)先】
臺積電走在技術(shù)的前沿眾所周知 , 臺積電長期處于先進制程最前面 , 從28nm到3nm , 幾乎始終保持著行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢 。 而且每個技術(shù)節(jié)點 , 臺積電都有自己的技術(shù)優(yōu)勢 , 具體表現(xiàn)如下:
28nm的領(lǐng)先
早在2009年 , 時值28nm芯片制造技術(shù)節(jié)點發(fā)展的契機 , 臺積電加大投資全力投入 , 擁有了業(yè)界領(lǐng)先的28nm制程技術(shù) 。 其技術(shù)特點:主要采用High-k Metal Gate (HKMG) 后柵極技術(shù) , 具有高性能和低功耗的優(yōu)勢 , 再加上與其 28 納米設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)的無縫集成 , 可加快上市時間 。
2013-2014年 , 臺積電20/16nm技術(shù)也逐漸領(lǐng)先 。
2013年11月 , 臺積電自研16nmFinFET(鰭場效應(yīng)晶體管)制程技術(shù)試產(chǎn)成功 , 使其電成為全球首家生產(chǎn)16nm FinFET全功能網(wǎng)絡(luò)處理器的代工廠 。
2014年 , 臺積電使用節(jié)能晶體管和互連以及世界領(lǐng)先的雙圖案技術(shù) , 使其成為全球第一家開始20納米量產(chǎn)的半導(dǎo)體公司 。 該工藝技術(shù)提供了比28nm的技術(shù)節(jié)點更好的密度和功率值 , 并將總功耗降低三分之一 。
16/12nm技術(shù)的領(lǐng)先
臺積電在20nm工藝基礎(chǔ)上 , 16/12nm具有卓越的性能和功耗優(yōu)勢 , 進一步提高了50%的速度 , 且降低了60%的功耗(同等速度下) 。
2016年 , 臺積電自研的16FFC技術(shù)(16nm FinFET 緊湊型技術(shù))投入生產(chǎn) 。 該工藝技術(shù)特點:同時結(jié)合光學(xué)收縮和工藝簡化 , 最大限度地降低了芯片成本 。 2017年 , 臺積電12FFC技術(shù)投入生產(chǎn) , 在16FFC技術(shù)基礎(chǔ)上 , 將柵極密度再次提高到最大值 。

10nm-3nm的技術(shù)優(yōu)勢

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