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華為被制裁后 , 國(guó)人意識(shí)到 , 原來我們?cè)诎雽?dǎo)體制造技術(shù)方面如此落后 , 一些人甚至產(chǎn)生了極度悲觀的情緒:集全西方之力打造的EUV光刻機(jī) , 僅憑中國(guó)怎么可能造出來?
有這樣的悲觀情緒在所難免 , 因?yàn)镋UV光刻機(jī)是集合數(shù)十個(gè)西方國(guó)家的技術(shù)優(yōu)勢(shì) , 由數(shù)萬個(gè)精密零部件打造的人類工業(yè)皇冠上的明珠 。
中國(guó)獨(dú)自研發(fā)EUV光刻機(jī)確實(shí)存在很多困難 , 但中國(guó)人民骨子里從不畏懼困難 。 愚公移山、大禹治水這些故事深深烙印在中國(guó)人的腦海里 , 中國(guó)傳統(tǒng)文化內(nèi)核告訴我們的道理是人定勝天!沒什么坎是過不去的 , 沒有什么山是搬不走的 。
這不 , 在近日召開的中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)暨一個(gè)應(yīng)用博覽會(huì)(ICDIA2022)上 , 國(guó)家02專項(xiàng)總師葉甜春給國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)人士和關(guān)注中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的老百姓打上了一劑強(qiáng)心針 。
葉甜春總師為中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展提出三個(gè)換道路徑 , 分別是近期換道路徑、中期換道路徑和遠(yuǎn)期換道路徑 。
近期換道路徑是未來3-5年中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展路徑規(guī)劃 , 這個(gè)路徑可以稱為“非EUV路徑” , 即不依賴EUV光刻機(jī)也能造出高端芯片 。 大致的原理是在14-7納米工藝平臺(tái)引進(jìn)3納米采用的納米環(huán)柵(GAA)結(jié)構(gòu)提高性能 , 用系統(tǒng)封裝/Chiplet提高功能集成度 。
簡(jiǎn)而言之 , 該路徑的主要方向就是大力發(fā)展高性能晶體管技術(shù)和先進(jìn)封裝技術(shù)以彌補(bǔ)EUV光刻機(jī)的缺失 。
GAA晶體管技術(shù)一般用于5nm以上的先進(jìn)工藝 , 技術(shù)上要領(lǐng)先臺(tái)積電目前正在使用的FinFET技術(shù) 。 目前已經(jīng)確定三星3nm將會(huì)采用GAA技術(shù) , 屆時(shí)三星有望在3nm工藝節(jié)點(diǎn)上超越臺(tái)積電 。
根據(jù)官方介紹 , 與7nm芯片相比 , 基于GAA技術(shù)的3nm工藝打造的芯片邏輯面積將減少45% , 功耗降低50% , 性能提高約35% , 并且可在極低電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行 。
我們?cè)賮砹私庖幌翪hiplet , 它是一種功能電路塊 , 包括可重復(fù)使用的IP塊 , 通常也被稱作“小芯片”或“芯粒” 。 該技術(shù)的優(yōu)勢(shì)是設(shè)計(jì)彈性大、成本低、上市快 , 是后摩爾時(shí)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最優(yōu)解之一 。
簡(jiǎn)單來講 , Chiplet封裝模式就是將一個(gè)功能豐富且面積較大的芯片裸片拆分成多個(gè)芯粒(chiplet) , 這些預(yù)先生產(chǎn)好的、能實(shí)現(xiàn)特定功能的芯粒組合在一起 , 通過先進(jìn)封裝的形式(比如3D封裝)被集成封裝在一起即可組成一個(gè)系統(tǒng)芯片 。
不久前剛從中芯國(guó)際離職的半導(dǎo)體大牛蔣尚義就曾力推發(fā)展先進(jìn)封裝和Chiplet , 但同樣是從臺(tái)積電出身的梁孟松卻堅(jiān)持在先進(jìn)制程工藝路線上繼續(xù)突破 。
不過隨著EUV光刻機(jī)進(jìn)入中國(guó)大陸的希望越來越渺茫 , 中國(guó)半導(dǎo)體短期的發(fā)展路線不得不以發(fā)展先進(jìn)封裝和Chiplet為主 。 至少在未來3-5年 , 葉甜春總師向我們確立了一條可行的、正確的、以發(fā)展Chiplet為主的非EUV路徑 。
只要在未來3-5年 , 通過非EUV路徑 , 中國(guó)能夠制造出5nm性能水平的芯片 , 那么我們就可以自主滿足95%以上的市場(chǎng)需求 , 高端芯片自主程度會(huì)大大提高 , 屆時(shí)華為當(dāng)前面臨的供應(yīng)鏈危機(jī)也會(huì)大大緩解 。
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