比如之前美國有一位工程師就曾經(jīng)提到過 ， 為了打造EUV光刻機上的一個零部件 ， 他反反復(fù)復(fù)打造了近10年時間 ， 才生產(chǎn)出符合EUV光刻機要求的零部件 。
對于其他零部件來說也是一樣的道理 ， 很多零部件都需要經(jīng)過長時間的研究 ， 不斷地打磨才能夠生產(chǎn)出符合頂尖光刻機要求的產(chǎn)品 ， 最終把所有優(yōu)秀的零部件組合在一起 ， 才能形成一個頂尖的EUV光刻機 。
所以決定光刻機制造水平并不是我們最擅長的技術(shù) ， 而是我們最短板的技術(shù) ， 如果某一個技術(shù)短板沒法解決 ， 將會影響整個光刻機的研發(fā)進程 。
第三、頂尖光刻機一些核心零部件我們尚不掌握技術(shù) 。 前面我也提到了 ， 一臺頂尖EUV光刻機由幾萬個零部件構(gòu)成 ， 這里面有很多核心零部件 ， 其中最重要的兩個零部件包括鏡頭以及光源 ， 這兩個零部件直接決定著光刻機的水平 。
而目前真正能夠生產(chǎn)出符合EUV光刻機要求鏡頭的只有德國蔡司一家 ， 能夠生產(chǎn)復(fù)合EUV光刻機光源的只有美國的cymer(目前已經(jīng)被ASML收購) 。
這里面不論是鏡頭還是光源技術(shù) ， 要求都非常高 ， 其中鏡頭表面要求非常平整 ， 至于這個技術(shù)有多高 ， 我們無法用言語來形容 。
但我們可以舉一個簡單的例子 ， 假如把EUV光刻機的鏡頭當(dāng)作德國的面積 ， 那么整個面積最高凸起的地方不能超過一厘米 ， 大家自己想象一下難度有多大 。
與此同時 ， EUV光刻機的光源必須保證功率足夠大 ， 能夠持續(xù)輸出穩(wěn)和強大的光源 ， 這樣才能減少誤差 ， 提高精度 。
也正因為EUV光刻機要求非常高 ， 所以目前我們暫時不具備獨立生產(chǎn)EUV光刻機的能力 ， 這也是為什么過去十幾年我國一直在研究發(fā)光刻機 ， 但一直沒有實現(xiàn)太大技術(shù)突破的重要原因 。
目前我國已經(jīng)量產(chǎn)的最先進光刻機只有90納米 ， 這跟ASML7納米光刻機差距非常大 ， 雖然目前上海微電子已經(jīng)研發(fā)出28納米的光刻機 ， 但截至目前仍然沒有量產(chǎn) ， 還在處于試產(chǎn)階段 。
【微軟|中國突破EUV光刻機關(guān)鍵技術(shù)，ASML地位不穩(wěn)？別盲目高興】所以大家必須清醒地認(rèn)識到目前我國光刻機跟國際先進水平的差距 ， 只有認(rèn)識到這種差距才能不斷的去彌補差距 ， 不要因為某一個技術(shù)的突破就覺得我們可以跟國際頂尖水平相互抗衡了 ， 至少從短期來看不太現(xiàn)實 。
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