1、內存時序(英語:Memory timings或RAM timings)是描述同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)性能的四個參數:CL、TRCD、TRP和TRAS,單位為時鐘周期 。
2、它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數字,例如7-8-8-24 。第四個參數(RAS)經常被省略,而有時還會加入第五個參數:Command rate(命令速率),通常為2T或1T,也寫作2N、1N 。這些參數指定了影響隨機存取存儲器速度的潛伏時間(延遲時間) 。較低的數字通常意味著更快的性能 。決定系統性能的最終元素是實際的延遲時間,通常以納秒為單位 。
【內存時序是什么 單位是什么】
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