光刻機|ASML的壓力來了,佳能正式宣布研發3D光刻機,計劃明年上半年上市

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【光刻機|ASML的壓力來了,佳能正式宣布研發3D光刻機,計劃明年上半年上市】佳能宣布 , 正在研發3D技術光刻機 , 并計劃于明年上半年上市 。 那么為什么要開發這種光刻機?它什么優勢?今天我們就來聊聊這個話題 。
大家都知道 , 全球中高端光刻機市場 , 基本被荷蘭的ASML壟斷了 , 尤其是EUV光刻機 , 更是獨一份 。 之前的光刻機巨頭 , 佳能、尼康 , 以及我國的上海微電子 , 都無法生產這種高端光刻機 。

因為5nm以下的芯片必須使用EUV光刻機制造 , 所以美國以此來不斷的打擊華為 , 導致華為手機業務受到了重創 , 原來已經是全球第一 , 現如今已經跌出全球前五 。 所以大家也都在期待著 , 我們國產高端光刻機能夠早日到來 。
其實簡單的說 , 如果各家光刻機廠商還按照ASML的路子去做 , 那么想要打造出EUV光刻是非常非常難的 。
因為EUV光刻機是集合人類各個領域最頂尖技術制造而成的 , 拋開技術專利方面的限制以外 , 不論是光源也好、鏡頭也罷 , 任何一個核心零部件都是獨一無二的 , ASML有著自己可控的供應鏈 , 其他人是不可能拿到的這些東西的 。 想要造出EUV光刻機 , 只能自己注意解決關鍵技術 , 所以這需要一定的時間 , 那么我國也在這個方向上持續努力的 , 未來一定會攻克EUV光刻機 。

所以 , 也就出現一些新的半導體方向 , 例如硅基芯片、光子芯片 , 以及冰刻技術、芯片疊加技術等等 , 記得去年華為相關專利曝光以后 , 還被很多人詬病過 , 說是50度水+50度水=100度水 , 以此來嘲笑這個專利 , 真的是相當無知 。
其實早在2017年 , AMD開始芯片疊加方面的研究了 , 并且認為未來的發展趨勢是進一步提升堆疊能力 , 不僅會實現2D疊加 , 還是實現3D堆疊 , 也就是在垂直方向上進一步擴展 。

英特爾在2018年 , 開發出多芯片互連橋接2D封裝技術EMIB和3D邏輯芯片封裝技術Foveros 。 并在2019年 , 推出了采用Foveros技術的Lakefield處理器 , 擁有非常不錯的性能和功耗表現 。



可以說 , 目前各大CPU廠商、晶圓廠 , 都有涉及到3D封裝技術的研發 , 包括三星、臺積電甚至是中芯國際 。 所以 , 芯片疊加并不是什么新鮮事兒 。
到了2022年 , 蘋果在這個方向又堅實的走出了一步 , 推出了被認為是蘋果史上最強大的芯片 , M1 Ultra , 它就是由兩顆蘋果M1 Max芯片拼在一起 。 所以M1 Ultra擁有高達1140億個晶體管 , 20核CPU、64核GPU、32核NPU , 最高128GB的統一內存和800GB/S的內存帶寬 , 性能逆天 。


蘋果自己也表示 , 通過將兩個M1 Max 芯片與UltraFusion 封裝架構相連接 , 憑借其強大的CPU、龐大的 GPU和神經引擎 , 以及ProRes硬件加速和統一內存 , M1 Ultra成為世界上最強大、功能最強大的個人計算機芯片 。
所以可以預見 , 受限于摩爾定律 , 5nm以下工藝的前進道路并不順暢 , 例如目前4nm工藝的表現就不太理想 , 例如采用三星4nm工藝的高通驍龍Gen1 , 不僅功耗高、發熱量也很大 , 一直被全世界用戶詬病 。 所以說 , 3nm、2nm工藝雖然可能在技術上沒有問題了 , 但想要實現量產、批量應用到產品上 , 都還需要時日 , 例如良品率、成本、功耗表現等方面 , 可能還會存在無數個問題 。

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