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半導體行業是高度資本密集、技術密集型產業 ， 想要在半導體領域脫穎而出 ， 需要具有良好的原始資源積累 ， 只有這樣 ， 才有希望快速地在產業中形成規模效應 。
但中國在這一領域明顯存在不足 ， 多年的技術落后 ， 導致整個產業鏈明顯落后于歐美 ， 正因為這樣 ， 華為才會在美方調整芯片規則之后停下海思芯片的生產計劃 。
畢竟臺積電無法自由出貨后 ， 相當于掐斷了華為海思芯片的生產渠道 ， 不過華為從來沒有放棄自研芯片的計劃 ， 盡管海思芯片已經停止生產了 ， 但整個研發團隊還保留著 。
華為輪值CEO徐直軍曾表示 ， 華為對海思沒有盈利訴求；任正非也表示 ， 沒有海思華為將寸步難行 。 從華為核心管理層的態度不難看出 ， 華為絕不會放棄海思團隊 。
好在功夫不負有心人 ， 華為似乎已經找到了繞開EUV光刻機生產高性能芯片的方案 ， 從前不久華為發布的2021年報中 ， 就可以了解到華為的下一步動向 。
華為輪值董事長郭平在談及芯片問題時表示 ， 華為未來可能會采用多核結構 ， 用堆疊、面積來換取芯片的性能 。
而現在 ， 這種多核堆疊結構已經被公布了 ， 華為公開了“一種芯片堆疊封裝及終端設備”專利 ， 該專利于2019年9月提出申請 ， 能夠在保證供電需求的同時 ， 解決因采用硅通孔技術而導致的成本高的問題 。
硅通孔技術作為一種高密度封裝技術 ， 可以讓晶體管集成度更高 ， 帶來更強的性能表現 ， 但較高難度的工藝 ， 弊端是需要采用極紫外光EUV光刻機 。
而EUV光刻機的價格是相當昂貴的 ， 生產效率也很低 ， 直接導致芯片制造的成本過高 ， 再加上只有ASML可以提供EUV光刻機 ， 所以華為才考慮其它方案 ， 以規避EUV光刻機被卡脖子的問題 。
華為這次對外公布的“一種芯片堆疊封裝及終端設備”專利 ， 就能夠有效地繞開EUV光刻機的問題 ， 這是一種采用面積換性能、用堆疊換性能的方案 ， 可以實現低工藝制程追趕先進工藝的可能 。
其實在華為之前 ， 蘋果推出的M1 Ultra就是將兩塊M1Max拼接在一起 ， 通過“多核”結構形成一顆芯片 ， 性能也成倍提升 ， 在如此短的時間內 ， 就做出了比英特爾和AMD更優秀的芯片 。
還有光刻機大廠佳能公司也傳來了新消息 ， 據悉該公司正在開發一種3D光刻機 ， 明顯是為了搶占先機 ， 因為EUV光刻機的弊端和客戶的需求 ， 已經非常明顯了 。
由此可以看出 ， 華為的這套方案是完全可行的 ， 也是可以期待的未來發展方向 。 就在華為公布該發明專利之后 ， 外媒也紛紛表示：ASML大意了 。
因為業界已經意識到了一個問題 ， 就是ASML所生產的EUV光刻機 ， 未來將不再是提升芯片性能的唯一途徑 ， 通過用面積換性能、用堆疊換性能的方案 ， 也可以做出性能很強的芯片 。
如此一來 ， 華為不用最先進的制程工藝 ， 也同樣能夠實現芯片性能升級的目的 ， 所以才會有外媒感嘆道：ASML確實大意了！
這對于ASML來說確實不是好消息 ， 因為ASML一直致力于提升光刻機工藝這條賽道 ， 但如今正在被其它企業顛覆 ， 摩爾定律也在失效 ， 一切或許都會朝著另一個方向發展 。
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