1、半導體的常用摻雜技術主要有兩種,即高擴散和離子注入 。摻入的雜質主要有兩類,第一類是提供載流子的受主雜質或施主雜質,第二類是產生復合中心的重金屬雜質 。
2、熱擴散技術是對于施主或受主雜質的摻入,就需要進行較高溫度的熱擴散 。為了讓晶體中產生出大量的晶格空位,所以,就必須對晶體加熱,讓晶體原子的熱運動加劇,以使得某些原子獲得足夠高的能量而離開晶格位置、留下空位 。
【什么叫半導體摻雜技術 何謂半導體摻雜技術】3、離子注入技術是為了使施主或受主雜質原子能夠進入到晶體中去,需要首先把雜質原子電離成離子,并用強電場加速、讓這些離子獲得很高的動能,然后再直接轟擊晶體 。
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