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芯片|ASML的壞消息，日本廠商新技術，不要EUV光刻機，可生產5nm芯片

芯片|ASML的壞消息，日本廠商新技術，不要EUV光刻機，可生產5nm芯片
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芯片|ASML的壞消息，日本廠商新技術，不要EUV光刻機，可生產5nm芯片
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眾所周知 ， 在芯片生產過程中 ， 光刻機是繞不過的設備 ， 如果從整個生產來看 ， 光刻機的成本占總設備成本的30% 。
最關鍵的是 ， 當進入到7nm工藝后 ， 必須要用到EUV(極紫外線)光刻機 ， 這種光刻機只有荷蘭ASML能夠生產 ， 且產能有限 ， 廠商們要買到 ， 并不容易 ， 要排除 ， 且ASML要優先供應臺積電、三星、intel這幾家股東 。
所以一直以來 ， 大家都在尋找其它辦法 ， 比如不用EUV光刻機 ， 能不能生產7nm及以下的芯片？事實上 ， 也有廠商是這么想并打算這么干的 ， 因為通過DUV光刻機進行多重曝光 ， 理論上也能達到7nm 。
但這種辦法非常復雜 ， 對技術要求非常高 ， 同時良率低 ， 晶圓的損耗比較大 ， 所以如果能夠買到EUV光刻機 ， 就不可能用這種辦法 ， 這種辦法生產出來的芯片 ， 完全沒有市場競爭力 。
而近日 ， 日本廠商搞出了另外一種辦法 ， 那就是不采用DUV多重曝光 ， 而是開發了一種新的NIL制程技術 ， 這種技術不需要EUV光刻機 ， 就可以將芯片制程推至5nm 。
這家廠商就是日本的存儲大廠鎧俠Kioxia（東芝） ， 它與日本的光學/半導體廠商佳能 ， 還有光罩/半導體廠商大日本印刷株式會社（DNP） ， 經過了4年的研發 ， 終于研發出了納米壓印微影(NIL) 的量產技術 。
目前鎧俠已將其應用到了15nm的NAND閃存制造上了 ， 并表示到2025年應該可以應用到5nm的芯片制造上 。
【芯片|ASML的壞消息，日本廠商新技術，不要EUV光刻機，可生產5nm芯片】鎧俠表示 ， NIL 技術與EUV光刻技術相比 ， 可以大幅度的減少耗能 ， 轉化效率高 ， 耗電量可壓低至EUV 技術的10% ， 同時NIL技術下的設備也便宜 ， 與ASML的EUV光刻機相比 ， 投資可降低至僅有EUV 設備的40% 。
不過也有專業人士指出 ， NIL技術也許能夠推進芯片制程至5nm ， 但可能更適應于NAND這種3D堆疊的閃存芯片 ， 不一定適用于所有的芯片 。
不過合作廠商之一的佳能 ， 則表示要努力的將NIL 量產技術廣泛的應用于制作DRAM 及PC 用的CPU 等邏輯芯片的設備上 。
對于這個技術 ， 不知道大家怎么看？如果真的能夠推進至5nm ， 且用于除NAND之外的通用芯片 ， 那么ASML就必將走下神壇 。
甚至從一定程度而言 ， 也是國產芯的好消息 ， 你覺得？對于這樣的彎道超車的技術 ， 真希望它能夠多一點 ， 并且是中國廠商研發的就好了 。

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