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隨著第12代酷睿Alder Lake系列、AMD銳龍6000系列移動處理器的廣泛采用 ， 越來越多的筆記本電腦開始采用DDR5筆記本內存 。 因此為了幫助筆記本電腦獲得更好的性能或者更大的容量 ， 內存廠商也開始推出DDR5 SO-DIMM筆記本內存新品 ， 如本次將要測試的這款英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存16GB套裝產品 。
與標準的桌面型DDR5內存相比 ， DDR5 SO-DIMM筆記本內存要小不少 ， 其長寬分別只有約69.6mm、30mm 。 而桌面版的DDR5內存 ， 哪怕是采用矮版設計 ， 沒有設計RGB導光條 ， 一般長寬也能分別達到133mm、35mm 。 本次測試的英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存16GB套裝由兩條單根容量為8GB的內存組成 ， 每根內存采用單面4顆粒設計 ， 這也是市面上比較少見 ， 顆粒數相當少的內存產品 ， 也就是說每顆顆粒的容量為2GB 。
得益于DDR5內存技術 ， DDR5 SO-DIMM內存的顆粒容量更大 ， 存儲密度大幅度提升 。 而此前我們測試的一款DDR4 SO-DIMM內存雖然采用了雙面8顆粒設計 ， 內存顆粒數量達到8顆 ， 但其單根容量只有8GB ， 每顆顆粒的容量為1GB 。
再就是DDR5在電壓方面的改進 ， 電壓降低至1.1V ， 這使得DDR5內存擁有相比DDR4內存相對更高的效率和更低的功耗 ， 畢竟DDR4 SO-DIMM內存的工作電壓也需要1.2V 。 與DDR4內存相比 ， DDR5內存在電路設計上也有重大變化 ， 將內存的電源管理集成電路（PMIC）從主板轉移到了DDR5內存上 ， 因此英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存也配備了品質可靠的電源管理集成電路 ， 確保為內存的各個元件提供充沛的“動力” 。 該內存的PMIC電源管理集成電路在內存中部的頂端 ， 可以精準地將來自主板的5V電壓降壓輸出給內存使用或按用戶設定的電壓工作 。
▲英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存中部的頂端配備了PMIC電源管理集成電路 。
此外DDR5 SO-DIMM內存也同樣加入了On-die Ecc糾錯功能 ， 可以發現和糾正出現在內存單元中的數據錯誤 ， 在DDR5內存達到較高頻率的同時 ， 確保工作穩定性與數據完整性 。
作為美光的消費級品牌 ， 英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存理所當然地選用了來自美光原廠 ， 編號為“1XA45 D8BNK”的美光DDR5內存顆粒 。 其產品編號為MT60B1G16HC-48B， 工作溫度在0℃～95℃范圍內 。 根據《微型計算機》評測室的測試結果 ， 美光DDR5內存顆粒一般可以穩定超頻到DDR5 5600 ， 所以讓它僅僅穩定工作在DDR5 4800是毫無問題的 。
▲英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存選用了來自美光原廠 ， 編號為“1XA45 D8BNK”的美光DDR5內存顆粒 。
考慮到筆記本電腦BIOS沒有太多的調節項目 ， 因此這款內存具備自動設置頻率、延遲的能力 。 用戶無須任何設置 ， 只要將內存插入內存插槽 ， 內存頻率就能自動提升到最高頻率 ， 即DDR5 4800并自動使用最優延遲的能力 。 其在DDR5 4800下的CL、tRCD、tRP、tRAS四大主要延遲參數僅為40-39-39-76 ， 與其他游戲本使用的DDR5內存規格相當 。 如華碩天選3酷睿版游戲本搭載的16GB（8GB×2）三星DDR5 4800筆記本內存采用的延遲設置也是40-39-39-76 ， 那么英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存是否有什么優勢呢？接下來我們在華碩天選3酷睿版游戲本上進行了測試 。
▲英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存的CL、tRCD、tRP、tRAS四大主要延遲參數僅為40-39-39-76 。
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