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一、前言：DDR5內(nèi)存為筆記本帶來更高頻率、更大容量
隨著Intel 12代酷睿、AMD銳龍6000系列移動版陸續(xù)開始支持DDR5 ， 消費級PC市場終于吹響了普及 DDR5 內(nèi)存的號角 。
DDR5內(nèi)存上市初期 ， 產(chǎn)品稀少 ， 價格高高在上 ， 性能優(yōu)勢相比DDR4并不很明顯 ， 再加上電源芯片缺貨 ， 讓人又愛又恨 。
好在隨著DDR5內(nèi)存價格逐漸趨于正常 ， 頻率也快速提升 ， 相信全面替代DDR4也只是時間問題了 。
尤其是在筆記本移動端 ， DDR5的普及速度更快 ， AMD銳龍6000系列甚至直接拋棄了DDR4 。
現(xiàn)在 ， 我們快科技就收到了英睿達的DDR5-4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存16GB套裝 ， 兩條8GB組成 。
SO-DIMM是專為筆記本內(nèi)存設(shè)計的形態(tài) ， 比起桌面上常見的DIMM更小巧 ， 大約只有一半 ， 也將常用于ITX迷你主機、NUC迷你機這類內(nèi)部空間并不充裕的產(chǎn)品當中 。
規(guī)格上 ， 英睿達DDR5-4800記本內(nèi)存的默認頻率是標準的4800MHz頻時序為40-39-39-76 ， 電壓從原本DDR4的1.2V降低至1.1V ， 減輕了筆記本功耗上的負擔 。
值得一提的是 ， DDR5內(nèi)存的電源管理部分從主板移至內(nèi)存上 ， 并專門配置了一個電源管理芯片(PMIC) ， 可以有效控制系統(tǒng)的電源負載 ， 同時降低噪聲干擾 。
同時 ， 因為DDR5的初始頻率較高 ， 還加入了On-die Ecc糾錯功能 ， 可以發(fā)現(xiàn)和糾正出現(xiàn)在內(nèi)存單元中的數(shù)據(jù)錯誤 ， 確保工作穩(wěn)定性與數(shù)據(jù)完整性 ， 避免在使用過程中出現(xiàn)藍屏、死機問題 。
現(xiàn)在 ， 我們就來看看這款英睿達DDR5-4800 SODIMM筆記本內(nèi)存的表現(xiàn) 。
二、外觀：單條8GB+美光原廠內(nèi)存顆粒
【筆記本|英睿達DDR5-4800筆記本內(nèi)存評測：起步就輕松超越高頻DDR4】
我們收到的版本為DDR5-4800規(guī)格 ， 為兩根16GB（8GB×2）套裝 。
包裝盒上面的參數(shù)簡略介紹了該內(nèi)存的規(guī)格 ， 時序為CL40、工作電壓1.1V 。
內(nèi)存正面的貼紙上有條形碼、產(chǎn)品序列號 ， 以及內(nèi)存的規(guī)格等信息 。
DDR5 SO-DIMM的引腳為262個 ， 比DDR4 SO-DIMM多了2個引腳 。
英睿達這根筆記本內(nèi)存采用的是單面內(nèi)存顆粒布局 ， 單顆2GB、共4個 ， 組成了總?cè)萘康膯胃?GB的容量 。
內(nèi)存顆粒中間為PMIC集成式電源管理芯片 ， 由于DDR5將電壓的轉(zhuǎn)換從主機板轉(zhuǎn)由DRAM 模組自行處理 ， 所以在DDR5內(nèi)存上多了這個區(qū)域 。
英睿達采用的是自家上游美光原廠DDR5內(nèi)存顆粒 ， 顆粒編號為IXA45 D8BNK 。
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