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【錨思科技訊】隨著三星努力將DDR6芯片推向市場 ， 該公司在內存芯片開發方面取得了長足進步 。 最近新聞報道顯示 ， 這家韓國科技巨頭計劃采用改進的Semi-Additive Process（mSAP）封裝技術來生產DDR6芯片 。
三星副總裁高永光（Younggwan Ko）最近在水原舉行的一次研討會上表示 ， 隨著內存半導體的功能越來越強大 ， 封裝技術必須與之一同發展 。 將mSAP工藝應用于DDR6內存芯片將使三星能夠制造出具有更精細電路的芯片 。
據Ko稱 ， 三星的競爭對手已經為DDR5內存使用了mSAP ， 三星正在為DDR6使用這種封裝技術 。
【AirPods|三星將使用mSAP技術實現更精細的DDR6電路】
與此同時 ， 三星本周早些時候推出了首款24Gbps圖形卡GDDR6 DRAM芯片 。 同時 ， 該公司正處于DDR6開發的早期階段（不要與GDDR6混淆） 。 根據去年的一份報告 ， 它的DDR6設計可能在2024年完成 。
DDR6的速度預計是DDR5的兩倍 ， 并且擁有兩倍于DDR5的內存通道 。 DDR6可以在JEDEC模塊上實現約12800Mbps的傳輸速率或17000Mbps的超頻 。
去年早些時候 ， 三星宣布了世界上第一款DDR5-7200 512GB內存 ， 其性能比DDR4解決方案高出40% 。
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