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大屏|下一代LED顯示的靈魂：巨量轉移和你想的不一樣？( 二 )

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但是 ， 如果micro LED顯示應用在穿戴設備上 ， 其要求可能是1-2英寸的基板上 ， 轉移百萬顆單位的燈珠 。 這時候 ， 對巨量轉移的效率、準確度和缺陷率、檢測和修復技術的要求 ， 就是另一個數量級的問題 。 即應用于越小尺寸的micro LED顯示產品 ， 其對巨量轉移的“規模和精度”要求也就越高 。
然而 ， 在大尺寸顯示上 ， 巨量轉移技術也有獨特的難度：即從硅基板等上提取LED顆粒之后 ， 顆粒間距擴張尺寸 ， 在大尺寸顯示上會更大 。 比較而言 ， 如果micro LED應用于XR等近眼顯示 ， 則幾乎沒有晶體顆粒間距擴張問題——甚至micro LED微型近眼顯示 ， 可以采用非巨量轉移 ， 而是驅動結構和發光結構在同一塊硅基晶圓上分層制造的技術實現 。
如上介紹 ， 因為顯示目標產品的顯示尺寸、像素密度和間距的不同 ， 對巨量轉移技術及其配套技術的要求也會截然不同 。 ——差異巨大的巨量轉移在不同目標市場的需求 ， 也就是技術難度的不同 。 后者導致在越是像素密度低的、越是大尺寸LED顯示產品上 ， 巨量轉移現階段的技術成熟度 ， 可商用性就越強 。

從低難度到高難度 ， 巨量轉移商用的路徑？

Micro LED商用的重要條件是巨量轉移技術的日益成熟 。 但是如上文所講不同的產品目標 ， 巨量轉移的難度截然不同：
多合一燈珠采用一些巨量轉移前端設備和技術提升效率 ， 目標產品集成度是幾十顆燈珠、大屏拼接用LED模組的CELL單元 ， 則是幾萬到幾十萬個燈珠、穿戴設備等小尺寸顯示的目標產品單元基板需要轉移數百萬到數千萬顆燈珠——這些應用中 ， LED晶體顆粒需要裂縫的距離也相差巨大 ， 檢測和修復技術的難度也截然不同 。
所以 ， micro LED導向市場的過程 ， 一定存在著一個“由易到難”的過程 。 即 ， 今天市場成功應用巨量轉移、一定規模商業化的產品 ， 集中在小間距和微間距的LED顯示大屏產品上 。 究其根源是因為這些產品每一片CELL的LED晶體集成量更小 ， 實現巨量轉移的難度也就更小 ， 在同等轉移速度下一個完整終端產品的制備時間周期也就更短 。

即 ， 99.95%的巨量轉移良率 ， 顯然無法滿足穿戴設備、車載屏幕的需求 ， 但是卻足以滿足LED小間距大屏的生產需求 。
對比于傳統的小間距LED顯示而言 ， 采用micro LED+巨量轉移的優勢很明顯：在巨量轉移效率、良率和其檢測、修復技術更為成熟的背景下 ， 高像素密度的小間距和微間距LED顯示 ， 通過采用micro技術可以降低LED晶圓端60%的成本；相對于表貼工藝 ， 巨量轉移的更高生產效率和產品效果特性 ， 在未來也意味著更低的成本 ， 更短的產業鏈流程 ， 更高的產品光學品質；且巨量轉移對比表貼 ， 更適合與玻璃材質的TFT驅動基板結合——后者在P1.0間距以下市場 ， 對比傳統高精度PCB板也擁有“成本優勢” 。
綜上所述 ， 雖然巨量轉移還是一種不夠成熟的技術 ， 但是并不意味著對小間距LED和微間距LED大屏“不足以實用”化 。 小間距LED顯示企業已經到了需要布局和大規模引入巨量轉移技術的歷史性時刻 。 在未來的行業應用競爭中 ， micro+巨量轉移或許將是行業格局改變的重要砝碼 。

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