【三星|3nm工藝投產(chǎn)！三星反超臺積電】
據(jù)韓國媒體報道 ， 三星電子今日正式投產(chǎn)GAA架構的3nm工藝芯片制造 ， 為趕超臺積電奠定基礎 。 報道稱 ， GAA架構優(yōu)于當前廣泛使用的FinFET架構 。
臺積電此前宣布在今年下半年量產(chǎn)3nm工藝 。 這意味著 ， 三星首次在先進工藝層面反超臺積電 。 此外 ， 英特爾預計在明年下半年量產(chǎn)3nm工藝芯片 。
這一工廠投產(chǎn)也打破了業(yè)界的大量猜疑 。 此前臺灣業(yè)界就認為 ， 三星可能因為3nm良率過低 ， 而不得不延后量產(chǎn) 。
客觀來說 ， 這一猜疑具有歷史基礎 。 三星一直努力追趕臺積電的先進工藝 ， 但步伐太大 ， 良率時不時成為隱患 。 在晶圓代工市場 ， 三星也大幅落后于臺積電的份額 。
對于三星的突破性進展 ， 臺積電表示不予評論 。 據(jù)稱 ， 臺積電基于FinFET架構的3nm工藝將進入量產(chǎn)階段 ， 并搭配FINLEX架構 。 此外 ， 2nm工藝預計在2025年量產(chǎn) 。
數(shù)據(jù)顯示 ， 三星芯片制造60%產(chǎn)能供給集團旗下公司 。 預計本次3nm產(chǎn)能也不例外 ， 將優(yōu)先三星集團使用 。
C114通信網(wǎng) 南山
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