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【閃存|國產(chǎn)閃存芯片打破技術(shù)壁壘，自主研發(fā)性能超韓國，又被美國盯上！】
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中國華為芯片事件風雨三年 ， 還沒有落下帷幕 ， 美國又開啟一輪新的指控 。 美國近日公開正在調(diào)查中國閃存技術(shù)制造商長江存儲向華為提供芯片事件 ， 稱這項行為可能違反了美國的出口管制 。 據(jù)相關(guān)報道描述 ， 華為暢享20e使用了長江存儲的芯片 ， 而這批芯片被美國質(zhì)疑涉及美國技術(shù) 。
長江存儲第一次被推向了風口浪尖 ， 之前長江存儲并沒有被美國列為其“實體名單”中 ， 是因為和長江存儲與美國公司有著深入合作 ， 為其帶來了可觀收入 。 然而好景不長 ， 芯片卡脖子的事件可能再次上演 。 長江存儲究竟有著怎么樣的實力讓美國再次提起調(diào)查指控“大刀”呢？
一、 年輕卻不簡單的長江存儲美國有消息傳出 ， 近期蘋果正在考慮從長江存儲購買芯片 。 美國政府相關(guān)人士甚至給蘋果首席執(zhí)行官庫克寫了一封“嚴厲”郵件 ， 希望蘋果否決這樣的考慮 。
長江存儲去年的全球市場份額其實不到4% ， 預計今年份額將增至7% 。 面對龐大且技術(shù)封鎖多年的芯片市場 ， 份額還很小的長江存儲為什么讓美國這么忌憚呢？
2016年成立的長江存儲 ， 是一家專門開發(fā)3D NAND閃存技術(shù)的IDM 集成電路企業(yè) ， 集研發(fā)制造一體 ， 并能提供完整的存儲器解決方案 。 成立剛滿6年 ， 公司看似很年輕 ， 但長江存儲一年一個技術(shù)突破 。
2017年宣布32層MLC研發(fā)成功 ， 2018年發(fā)布Xtacking架構(gòu)技術(shù) ， 2019年宣布64層TLC研發(fā)成功 ， 隨后一年不到時間 ， 2020年上半年宣布128層TLC和QLC技術(shù)研發(fā)成功 ， 2020年下半年宣布64層TLC工藝良品實現(xiàn)量產(chǎn) ， 2021年發(fā)布兩款閃存產(chǎn)品意味著128層TLC工藝良品正式量產(chǎn) 。
這些數(shù)據(jù)意味著僅僅用了5年時間長江存儲在技術(shù)層面已經(jīng)追平了三星、海力士、鎂光等存儲大佬 。 特別是128層TLC工藝已經(jīng)實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的新標準 。 2018年宣布研發(fā)成功的Xtacking 技術(shù)是在兩片獨立的晶圓上 ， 分別加工周邊電路和儲存單元 ， 這項技術(shù)與其他國際存儲大廠的技術(shù)和架構(gòu)都不同 ， 擁有獨家專利 。
從市場份額上來說 ， 長江存儲的表現(xiàn)也是驚人的 。 Xtacking 技術(shù)之下良品率接近100% ， 實現(xiàn)量產(chǎn)后 ， 長江存儲的全球市場份額從2020年的0% ， 迅速突破至2021年的3.4% ， 今年預計到7% 。
二、保真的獨家專利上文提到長江存儲的“威脅” ， 首先要了解Xtacking架構(gòu)技術(shù)及其3D堆疊工藝平臺 。 閃存產(chǎn)品的堆疊層數(shù)是最直觀的性能指標 ， TLC是指三層單元 。 率先達到200層及以上的三層3D閃存產(chǎn)品將率先成為閃存市場寡頭 。
擁有自主Xtacking架構(gòu)技術(shù)的長江存儲為量產(chǎn)200層的可能加了非常有利的砝碼 。 Xtacking架構(gòu)技術(shù)已經(jīng)大大縮短了產(chǎn)品開發(fā)周期 ， 相比傳統(tǒng)技術(shù) ， 能實現(xiàn)更高的存儲密度 ， 最新技術(shù)已經(jīng)達到192層 ， 而從64層到128層 ， 長江存儲更是直接冒險跳過了96層完美突破 。 除此 ， 這一技術(shù)保證良品率接近100% 。
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