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英特爾|Intel公開4nm EUV工藝性能：CPU頻率沖擊6GHz？

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英特爾|Intel公開4nm EUV工藝性能：CPU頻率沖擊6GHz？

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根據Intel的芯片工藝路線圖 ， 到2025年之前他們要在短短4年內掌握5代CPU工藝 ， 其中有2代還是首次進入埃米級工藝 ， 今年下半年將要量產Intel 4工藝 ， 也就是對標友商的”4nm“工藝 ， 也是Intel首款使用EUV光刻機的工藝 。

目前臺積電、三星已經量產了4nm工藝 ， 不過Intel自家的”4nm“工藝還是有不少特色的 ， 特別是在性能方面 ， 其他兩家主要生產低功耗芯片 ， Intel則是要生產高性能處理器 ， 包括桌面及服務器級別的 。
Intel的這個”4nm“工藝比目前的Intel （也就是沒改名前的第二代10nm工藝）工藝每瓦性能提升20% ， 如果是對比之前的初代10nm工藝 ， 那么性能提升超過35% 。

其他方面 ， Intel ”4nm“工藝的晶體管密度相比Intel 7工藝提升100% ， HP高性能庫密度可達1.6億晶體管/mm2 ， 高于臺積電5nm工藝的1.3億晶體管/mm2 ， 接近臺積電未來的3nm工藝的2.08億晶體管/mm2水平了 。
目前Intel 7工藝量產的12代酷睿及下半年的13代酷睿頻率可以做到5.5GHz了 ， 假設性能也只是提升20% ， 那極限頻率應該可以突破6GHz了 ， 史無前例的水平 ， 不知道Intel會不會這么做 。
【英特爾|Intel公開4nm EUV工藝性能：CPU頻率沖擊6GHz？】Intel 4工藝會在明年的14代酷睿Meteor Lake上首發 ， 后者也會是Intel酷睿系列中首個大量使用3D Foveros混合封裝的處理器 ， 主要有三個部分封裝在一起 ， 一是計算模塊 ， 二是GPU模塊 ， 多達96-192個計算單元 ， 三是SoC-LP ， 應該是包含內存控制器、PCIe控制器等輸入輸出部分 。

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