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芯片|小米自研芯片被罵貼牌，官方實錘來了( 二 )

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小米表示 ， 過去的單電芯快充體系中 ， 要把輸入手機的 20V 電壓轉換成可以充入電池的 5V 電壓 ， 需要 5 個不同種電荷泵的串并聯電路 。
大量的電荷泵和整體串聯的架構會帶來很大的發熱量 ， 實際使用中完全無法做到長時間滿功率運行 ， 更難以做到 120W 高功率快充 。

驅動小米 120W 澎湃秒充的核心是兩顆小米自研智能充電芯片：澎湃 P1 。 它們接管了傳統的 5 電荷泵復雜結構 ， 將輸入手機的高壓電能 ， 更高效地轉換為可以直充電池的大電流 。
澎湃 P1 作為業界首個諧振充電芯片 ， 擁有自適應開關頻率的 4:1 超高效率架構 ， 諧振拓撲效率高達 97.5% ， 非諧振拓撲效率為 96.8% ， 熱損耗直線下降 30%。

澎湃 P1 本身承擔了大量的轉換工作：傳統電荷泵只需要兩種工作模式（變壓、直通） ， 而澎湃 P1 需要支持 1:1、2:1 和 4:1 轉換模式 ， 并且所有的模式都需要支持雙向導通 。
這意味著總共需要 15 種排列組合的模式切換控制 —— 是傳統電荷泵的 7 倍 。
正向 1:1 模式讓亮屏充電效率更高 ， 正向 2:1 模式可兼容更多充電器 ， 正向 4:1 可支持 120W 澎湃秒充 ， 反向 1:2/1:4 模式可支持高功率反向充電 。

澎湃 P1 也是小米充電效率最高的 4:1 充電芯片 ， 可做到 0.83W /mm2 超高功率密度 ， LDMOS 也達到業界領先超低 1.18mΩmm2 RSP 。
而澎湃 P1 芯片內部需要用到三種不同耐壓的 FLY 電容 ， 每顆電容需要獨立的開短路保護電路 ， 而每種工作模式又需要嚴格控制預充電壓 ， 功率管數量接近傳統電荷泵的兩倍 。
并且因為拓撲設計和功能復雜度的提升 ， 每片澎湃 P1 在出廠時都需要通過 2500 多項測試 ， 遠高于傳統電荷泵 。

雖然說了很多專業術語 ， 但用戶只需要明白它的主要優勢有這些：
澎湃 P1 充電芯片實現了有線 120W 、無線 50W 的充電速率 ， 同時還支持 10W 無線方向充電 。
并且它是單電芯 ， 相比于雙電芯 ， 它的空間利用率更高 ， 同等體積下電池容量更大 ， 利用控制機身厚度 ， 溫控方面 ， 也能得到進一步降低 。
所以作為國產的小米 ， 這點上研發實力非常值得肯定 。 至此 ， “小米澎湃 P1 芯片是買來的” 這件事 ， 不攻自破 。
事件的最后 ， 發文的博主目前也已經刪除微博 ， 網友們在這件事上也紛紛表示支持小米 ， 支持國產自主研發的實力 。

這件事也告訴大家一個道理 ， 沒有經過論證和官方發表聲明的消息 ， 經不起推敲和傳播 。
果子相信盲目跟風的網友們 ， 大多數只是吃風湊熱鬧 ， 但有句話說的好 —— 謠言止于智者 ， 盲目跟風只會顯得自身無知 。
所以面對這類事情 ， 一定要理性看待 ， 不信謠 ， 不傳謠 。 因為有原則有底線的人都不會無事生非 。 而跟風者 ， 是壓死受害者身上的最后一根稻草 。
一件事一旦一傳十 ， 十傳百之后 。 網友就會從吃瓜群眾的角色演變成有利可圖的人手中的棋子 。



而事情在經過未經證實、不明不白的添油加醋后 ， 原來的真相與本質 ， 就會被深蓋淹沒 。 到了最后 ， 事件主角成了最大的受害者 ， 遭受了不可逆的傷害與損失 。
前陣子 “劉學州” 網暴自殺事件足以給我們敲響警鐘了 。
小米雖然是一家科技公司 ， 不是單體的個人 。
但造謠這種事件 ， 無論是對個人、團體、還是公司 ， 都絕對不可取 ， 因為他們理應得到尊重 。
圖片及資料來源:
【芯片|小米自研芯片被罵貼牌，官方實錘來了】[1
IT 之家：網傳小米澎湃 P1 芯片并非自研 ， 南芯半導體回應：消息不實https://www.ithome.com/0/602/111.htm

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