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5G|英特爾展示三個關鍵領域創新 封裝密度提升10倍以上

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【5G|英特爾展示三個關鍵領域創新 封裝密度提升10倍以上】5G|英特爾展示三個關鍵領域創新 封裝密度提升10倍以上

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在日前舉行的2021?IEEE國際電子器件會議(IEDM)上 ， 英特爾分享了在三個關鍵領域的創新：第一 ， 為提供更多晶體管的核心微縮技術;第二 ， 在功率器件和內存增益領域提升硅基半導體性能;第三 ， 探索物理學新概念 ， 以重新定義計算 。 同時 ， 英特爾表示將通過技術創新與突破不斷推動摩爾定律 ， 將其延續至2025年及更遠的未來 。



英特爾介紹到 ， 通過混合鍵合(hybrid?bonding)解決設計、制程工藝、組裝等難題 ， 將封裝的互連密度提升10倍以上 。
早在今年7月份 ， 英特爾便公布了該公司有史以來最詳細的制程工藝、封裝技術路線圖 ， 推出了Foveros?Direct封裝技術 。 Foveros?Direct實現了向直接銅對銅鍵合的轉變 ， 達成低電阻互連 。 而且 ， Foveros?Direct實現了10微米以下的凸點間距 ， 使3D堆疊的互連密度提高了一個數量級 。
與此同時 ， 英特爾也展望其GAA?RibbonFET(Gate-All-Around?RibbonFET)技術 ， 通過堆疊多個(CMOS)晶體管 ， 將晶體管微縮面積提升30%至50% ， 進而實現單位面積內容納更多晶體管 。
此前英特爾也曾介紹 ， 基于FinFET晶體管優化 ， Intel?7與Intel?10nm?SuperFin相比 ， 每瓦性能將提升約10%-15% 。 隨著12代酷睿臺式機處理器的發布 ， 作為首批采用Intel?7的產品 ， 從中也能傾聽到英特爾的怒吼 ， 配合上異構架構、英特爾硬件線程調度器 ， 真的強 。



因此在英特爾推進制程工藝、封裝技術創新的同時 ， 也將實現計算力的突破 。
值得一提的是 ， 即使未來進入埃米時代 ， 摩爾定律也不會過時 。 英特爾已經在為摩爾定律進入埃米時代鋪平道路 ， 在英特爾的前瞻性研究中展示了如何克服傳統硅通道限制 ， 用僅有數個原子厚度的新型材料制造晶體管 ， 實現在每個芯片上增加數百萬晶體管數量 。

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