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USB|Intel 聯(lián)手 ASML，為 2025 年 High-NA EUV 量產(chǎn)鋪路

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USB|Intel 聯(lián)手 ASML，為 2025 年 High-NA EUV 量產(chǎn)鋪路



Intel 曾于 2021 年 7 月的 Accelarated 活動(dòng)中宣布部署 High-NA 技術(shù)的計(jì)劃 ， 現(xiàn)在已向 ASML 下訂業(yè)界首臺(tái) TWINSCAN EXE：5200 系統(tǒng) ， 寄望于 2025 年實(shí)現(xiàn) High-NA 量產(chǎn) 。
數(shù)值孔徑?jīng)Q定了能夠印制的最小的特征尺寸 。與先前 EUV（極紫外光）機(jī)器所具備的 0.33 數(shù)值孔徑鏡片相比 ， TWINSCAN EXE：5200 精確度提升了 0.55 的數(shù)值孔徑 ， 為更小的晶體管特征提供更高的分辨率圖案化 ， 甚至具備每小時(shí) 200 片以上晶圓產(chǎn)能 。
【USB|Intel 聯(lián)手 ASML，為 2025 年 High-NA EUV 量產(chǎn)鋪路】Intel 執(zhí)行副總裁暨技術(shù)開(kāi)發(fā)事業(yè)部總經(jīng)理 Ann Kelleher 博士表示 ， 透過(guò)與 ASML 的密切合作 ， Intel 將汲取 High-NA EUV 的高解析度圖案化優(yōu)勢(shì) ， 作為延續(xù)摩爾定律的其中一個(gè)方式 ， 并將追尋晶體微縮的優(yōu)良傳統(tǒng)延續(xù)下去 ， 保持半導(dǎo)體微影技術(shù)的領(lǐng)先地位 。

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