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芯片|國產內存產能翻倍：17nm DDR5在路上

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芯片|國產內存產能翻倍：17nm DDR5在路上

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芯片|國產內存產能翻倍：17nm DDR5在路上

在2021年 ， 有越來越多的內存廠商使用了合肥長鑫公司開發的DDR4內存芯片 ， 產能也在穩步增長 ， 據悉2021年已達6萬晶圓/月 ， 消息稱今年的產能將翻倍 ， 達到12萬晶圓/月的水平 ， 同時還會有更先進的17nm工藝DDR5/LPDDR5等內存芯片 。

據介紹 ， 合肥長鑫存儲作為一體化存儲器制造商 ， 專業從事動態隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發、生產和銷售 ， 目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產 ， 18年研發國內首個8Gb DDR4芯片 ， 2019年Q3季度量產 ， 2020年多款國產內存已經用上了長鑫的顆粒 。
產能方面 ， 長鑫在2020年、2021年分別實現了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標 ， 2022年的產能目標是12萬片晶圓/月 ， 未來的產能目標是30萬片晶圓/月 。

國產內存今年的產能目標在全球是什么水平？此前TrendForce預測 ， 2021年底全球內存產能將達到150萬晶圓/月 ， 三星產能超過55.5萬晶圓/月 ， SK海力士是36萬片晶圓/月 ， 美光也有35.5萬晶圓/月 。
如果今年內國產內存產能如期建成 ， 那么合肥長鑫能進入全球第四 ， 不過與前三名的差距還很大 。

【芯片|國產內存產能翻倍：17nm DDR5在路上】當然 ， 國產內存擴增產能依然是好事 ， 用網友的話說就是國內有自己的內存芯片生產 ， 就不怕別人的內存廠失火、斷電、地震等災難了 。
除了產能擴增 ， 國產內存的技術水平也在追趕 ， 目前長鑫量產的主要是第一代10nm級別工藝10G1 ， 實際水平應該是19nm ， 主要以DDR4、LPDDR4為主 ， 2020年報道中提到研發17nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內存 ， 這是10G3代工藝 ， 未來還有10G5工藝 ， 除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存 。

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